Du følger nå
Feil med følging av bruker.
Denne brukeren tillater ikke brukere å følge dem.
Du følger allerede denne brukeren.
Medlemskapsplanen din tillater bare 0 følginger. Oppgrader her.
Sluttet å følge
Kunne ikke slutte å følge bruker.
Du har vellykket anbefalt
Kunne ikke anbefale bruker.
Noe gikk galt. Oppdater siden og prøv igjen.
Vellykket bekreftelse av e-post.
rourkela,
india
Det er for øyeblikket 11:31 a.m. her
Ble med januar 23, 2013
0 Anbefalinger
Agnish P.
@agnish1991
0,8
0,8
100%
100%
rourkela,
india
100 %
Jobber fullført
100 %
Innenfor budsjett
100 %
I tide
N/A
Gjenansettelsesrate
Junior Research Fellow, IIT Bhubaneswar, India
Kontakte Agnish P. angående jobben din
Logg inn for å diskutere eventuelle detaljer over chat.
Portefølje
Portefølje
Global Warming and its adverse effects on the green planet
Global Warming and its adverse effects on the green planet
Anmeldelser
Endringer lagret
Viser 1 - 1 av totalt 1 omtaler
$24,00 USD
Data Processing
Data Entry
Transcription
Word
Word Processing
•
Erfaring
Fabrication & characterization of Zinc Oxide based Thin Film Transistor with Hafnium Oxide as high-k dielectric layer
jul. 2013 - Nå
The dielectric layer is being optimized by varying various thin film growth parameters by analyzing the Output, Transfer characteristics along with measurement of gate tunneling leakage current and capacitance versus voltage characteristics. This is done to achieve high-end device properties for CMOS, VLSI and sensor applications.
Utdanning
Integrated BS-MS Physics
(5 år)
Intermediate in Science
(2 år)
Kvalifikasjoner
Academic Excellence
NIT Rourkela
2014
Academic Excellence award for securing 2nd position in the 4th year of Integrated MSc Physics.
Academic Excellence
NIT Rourkela
2012
3rd position for academic excellence in the 2nd year of Integrated MSc Physics.
SEM Debate
National Institute of Technology, India
2013
Speaker for the team supporting the topic "Whether a Scanning Electron Microscope (SEM) can be built using student projects?" . I was also the head of the student team for Electromagnetic Lens subsystem of the DARSHINEE SEM project.
Publikasjoner
Fabrication & Characterization of pentacene based OTFT with Barium Titanate as high-k Dielectric Layer
Indian Academy of Sciences
There is an exponential increase in gate tunneling leakage current with decreasing dielectric thickness in a thin film transistor. An optimized set of parameters is being tried to set up with the above mentioned material combinations that can achieve maximum capacitance to generate good enough field-effect even at low gate voltages for low power applications while maintaining an extremely low leakage. Besides, approaches are being made to attain high on-off ratio and better response time when this OTFT would be
Kontakte Agnish P. angående jobben din
Logg inn for å diskutere eventuelle detaljer over chat.
Verifiseringer
Sertifiseringer
Toppferdigheter
Bla i lignende frilansere
Bla i lignende utstillinger
Invitasjonen ble sendt!
Takk! Vi har sendt deg en lenke for at du skal kunne kreve din gratis kreditt.
Noe gikk galt. Vær så snill, prøv på nytt.
Kopiering til utklippstavlen mislyktes. Prøv igjen etter å ha justert tillatelsene dine.
Kopiert til utklippstavlen.
Forhåndsvisning innlasting
Tillatelse gitt for geolokalisering.
Påloggingsøkten din er utløpt og du har blitt logget ut. Logg på igjen.